Transistor bipolaire BCW68G

Caractéristiques électriques du transistor BCW68G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 160 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23

Brochage du BCW68G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BCW68G peut avoir un gain en courant continu de 160 à 400. Le gain en courant continu du BCW68 est compris entre 100 à 630, celui du BCW68F entre 100 à 250, celui du BCW68H entre 250 à 630.

Complémentaire du transistor BCW68G

Le transistor NPN complémentaire du BCW68G est le BCW66G.

Substituts et équivalents pour le transistor BCW68G

Vous pouvez remplacer le transistor BCW68G par MMBT4354 ou MMBT4355.
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