Transistor bipolaire 2SB766A

Caractéristiques électriques du transistor 2SB766A

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 85 à 340
  • Fréquence de transition minimum: 200 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du 2SB766A

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB766A peut avoir un gain en courant continu de 85 à 340. Le gain en courant continu du 2SB766A-Q est compris entre 85 à 170, celui du 2SB766A-R entre 120 à 240, celui du 2SB766A-S entre 170 à 340.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB766A peut n'être marqué que B766A.

Complémentaire du transistor 2SB766A

Le transistor NPN complémentaire du 2SB766A est le 2SD874A.
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