Transistor bipolaire 2SB710A

Caractéristiques électriques du transistor 2SB710A

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.2 W
  • Gain de courant (hfe): 85 à 340
  • Fréquence de transition minimum: 200 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23

Brochage du 2SB710A

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB710A peut avoir un gain en courant continu de 85 à 340. Le gain en courant continu du 2SB710A-Q est compris entre 85 à 170, celui du 2SB710A-R entre 120 à 240, celui du 2SB710A-S entre 170 à 340.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB710A peut n'être marqué que B710A.

Complémentaire du transistor 2SB710A

Le transistor NPN complémentaire du 2SB710A est le 2SD602A.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB710A

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB710A par 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, FMMTA55, FMMTA56, KST55, KST56 ou MMBT4354.
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