Transistor bipolaire 2SB710A
Caractéristiques électriques du transistor 2SB710A
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
- Tension collecteur-base maximum: -60 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.2 W
- Gain de courant (hfe): 85 à 340
- Fréquence de transition minimum: 200 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: SOT-23
Brochage du 2SB710A
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SB710A
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB710A
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