Transistor bipolaire MPS750G
Caractéristiques électriques du transistor MPS750G
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -40 V
- Tension collecteur-base maximum: -60 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -2 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
- Gain de courant (hfe): 75
- Fréquence de transition minimum: 75 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Le MPS750G est la version sans plomb du transistor MPS750
Brochage du MPS750G
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor MPS750G
Version SMD du transistor MPS750G
Substituts et équivalents pour le transistor MPS750G
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