Transistor bipolaire MJE2955TG

Caractéristiques électriques du transistor MJE2955TG

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -70 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 75 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 100
  • Fréquence de transition minimum: 2 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220
  • Le MJE2955TG est la version sans plomb du transistor MJE2955T

Brochage du MJE2955TG

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MJE2955TG

Le transistor NPN complémentaire du MJE2955TG est le MJE3055TG.

Substituts et équivalents pour le transistor MJE2955TG

Vous pouvez remplacer le transistor MJE2955TG par 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD908, BD910, BD912, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, MJE2955T, MJF2955 ou MJF2955G.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com