Transistor bipolaire MJE172

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -3 A
• Dissipation de puissance maximum: 12.5 W
• Gain de courant (h_fe): 50 à 250
• Fréquence de transition minimum: 50 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJE172 est le MJE182.Le BDP952 (SOT-223) et BDP954 (SOT-223) est la version SMD du transistor MJE172.Vous pouvez remplacer le transistor MJE172 par BD180, BD180G, BD790, BD792, KSE172, MJE172G, MJE252 ou MJE254.