Transistor bipolaire 2SB1167

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -120 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -3 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 70 à 400
• Fréquence de transition minimum: 130 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1167 peut avoir un gain en courant continu de 70 à 400. Le gain en courant continu du 2SB1167-Q est compris entre 70 à 140, celui du 2SB1167-R entre 100 à 200, celui du 2SB1167-S entre 140 à 280, celui du 2SB1167-T entre 200 à 400.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1167 peut n'être marqué que B1167.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1167 est le 2SD1724.Le BDP954 (SOT-223) et BDP956 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB1167.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1167 par 2SB1168 ou MJE254.