Transistor bipolaire BD442G

Caractéristiques électriques du transistor BD442G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 36 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 140
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du BD442G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Version SMD du transistor BD442G

Le BDP952 (SOT-223) est la version SMD du transistor BD442G.

Substituts et équivalents pour le transistor BD442G

Vous pouvez remplacer le transistor BD442G par 2N4920, 2N4920G, BD442, BD790, BD792, MJE250, MJE251, MJE252, MJE253, MJE253G ou MJE254.

Equivalent

Same transistor is also available in:
  • TO-220 package, BD535J: 50 watts
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