Transistor bipolaire MJE250

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -4 A
• Dissipation de puissance maximum: 15 W
• Gain de courant (h_fe): 40 à 200
• Fréquence de transition minimum: 2 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJE250 est le MJE240.Le BDP952 (SOT-223) est la version SMD du transistor MJE250.Vous pouvez remplacer le transistor MJE250 par BD790, BD792, MJE252 ou MJE254.