Transistor bipolaire MJE251

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -4 A
• Dissipation de puissance maximum: 15 W
• Gain de courant (h_fe): 40 à 180
• Fréquence de transition minimum: 2 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJE251 est le MJE241.Le BDP952 (SOT-223) est la version SMD du transistor MJE251.Vous pouvez remplacer le transistor MJE251 par BD790, BD792, MJE250, MJE252, MJE253, MJE253G ou MJE254.