Transistor bipolar KSB795-R

Características del transistor KSB795-R

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -8 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 2000 a 5000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB795-M transistor

Diagrama de pines del KSB795-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KSB795-R puede tener una ganancia de corriente de 2000 a 5000. La ganancia del KSB795 estará en el rango de 2000 a 30000, para el KSB795-O estará en el rango de 4000 a 10000, para el KSB795-Y estará en el rango de 8000 a 30000.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del KSB795-R es el KSB986-R.

Versión SMD del transistor KSB795-R

El BSP62 (SOT-223), BSP62T1 (SOT-223), BSP62T1G (SOT-223), BSP62T3 (SOT-223) y BSP62T3G (SOT-223) es la versión SMD del transistor KSB795-R.

Sustitución y equivalentes para el transistor KSB795-R

Puede sustituir el KSB795-R por el 2N6036, 2N6036G, 2SB1067, 2SB1149, 2SB1149-M, 2SB795, 2SB795-M, BD170, BD238, BD238G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSB1149, KSB1149-O, KSE702, KSE703, MJE252, MJE254, MJE271, MJE271G, MJE702, MJE702G, MJE703, MJE703G o MJE712.
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