Transistor bipolar BD680G

Características del transistor BD680G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • El BD680G es la versión sin plomo del transistor BD680

Diagrama de pines del BD680G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BD680G es el BD679G.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD680G

Puede sustituir el BD680G por el 2N6036, 2N6036G, BD680, BD680A, BD680AG, BD682, BD682G, BD780, KSE702, KSE703, MJE702, MJE702G, MJE703 o MJE703G.
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