Transistor bipolar 2SB795

Características del transistor 2SB795

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -8 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 2000 a 30000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB795

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB795 puede tener una ganancia de corriente de 2000 a 30000. La ganancia del 2SB795-K estará en el rango de 8000 a 30000, para el 2SB795-L estará en el rango de 4000 a 10000, para el 2SB795-M estará en el rango de 2000 a 5000.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB795 puede estar marcado sólo como "B795".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB795 es el 2SD986.

Versión SMD del transistor 2SB795

El BSP62 (SOT-223), BSP62T1 (SOT-223), BSP62T1G (SOT-223), BSP62T3 (SOT-223) y BSP62T3G (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SB795.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB795

Puede sustituir el 2SB795 por el 2SB1067, BD170, BD238, BD238G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSB795, KSE702, KSE703, MJE252, MJE254, MJE271, MJE271G, MJE702, MJE702G, MJE703, MJE703G o MJE712.
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