Transistor bipolar 2SB1149

Características del transistor 2SB1149

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -8 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 15 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 2000 a 15000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB1149

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1149 puede tener una ganancia de corriente de 2000 a 15000. La ganancia del 2SB1149-K estará en el rango de 5000 a 15000, para el 2SB1149-L estará en el rango de 3000 a 7000, para el 2SB1149-M estará en el rango de 2000 a 5000.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1149 puede estar marcado sólo como "B1149".

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1149

Puede sustituir el 2SB1149 por el BD682, BD682G, KSB1149 o MJE254.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com