Transistor bipolar MJE703G

Características del transistor MJE703G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del MJE703G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

MJE703G equivalent circuit

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJE703G es el MJE803G.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJE703G

Puede sustituir el MJE703G por el 2N6036, 2N6036G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSE702, KSE703, MJE702, MJE702G o MJE703.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com