Transistor bipolar 2SB1149-M

Características del transistor 2SB1149-M

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -8 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 15 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 2000 a 5000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB1149-M

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1149-M puede tener una ganancia de corriente de 2000 a 5000. La ganancia del 2SB1149 estará en el rango de 2000 a 15000, para el 2SB1149-K estará en el rango de 5000 a 15000, para el 2SB1149-L estará en el rango de 3000 a 7000.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1149-M puede estar marcado sólo como "B1149-M".

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1149-M

Puede sustituir el 2SB1149-M por el BD682, BD682G, KSB1149, KSB1149-O o MJE254.
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