Transistor bipolar BD682G

Características del transistor BD682G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • El BD682G es la versión sin plomo del transistor BD682

Diagrama de pines del BD682G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BD682G es el BD681G.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD682G

Puede sustituir el BD682G por el BD682.
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