Transistor bipolar MJE271G

Características del transistor MJE271G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 15 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1500
  • Frecuencia máxima de trabajo: 6 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • El MJE271G es la versión sin plomo del transistor MJE271

Diagrama de pines del MJE271G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJE271G es el MJE270G.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJE271G

Puede sustituir el MJE271G por el 2SB1149, 2SB1149-K, 2SB1149-L, 2SB1149-M, KSB1149, KSB1149-G, KSB1149-O, KSB1149-Y o MJE271.
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