Transistor bipolar MJE271G
Características del transistor MJE271G
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
- Disipación de Potencia Máxima: 15 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 1500
- Frecuencia máxima de trabajo: 6 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-126
- El MJE271G es la versión sin plomo del transistor MJE271
Diagrama de pines del MJE271G
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor MJE271G
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