Transistor bipolar MJE702G

Características del transistor MJE702G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del MJE702G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

MJE702G equivalent circuit

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJE702G es el MJE802G.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJE702G

Puede sustituir el MJE702G por el 2N6036, 2N6036G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSE702, KSE703, MJE702, MJE703 o MJE703G.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com