Transistor bipolar KSB1149-O

Características del transistor KSB1149-O

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -8 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 15 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 2000 a 5000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1149-M transistor

Diagrama de pines del KSB1149-O

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KSB1149-O puede tener una ganancia de corriente de 2000 a 5000. La ganancia del KSB1149 estará en el rango de 2000 a 20000, para el KSB1149-G estará en el rango de 6000 a 20000, para el KSB1149-Y estará en el rango de 4000 a 12000.

Sustitución y equivalentes para el transistor KSB1149-O

Puede sustituir el KSB1149-O por el 2SB1149, 2SB1149-M, BD682, BD682G o MJE254.
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