Transistor bipolar BD682
Características del transistor BD682
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
- Disipación de Potencia Máxima: 40 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 750
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-126
Diagrama de pines del BD682
Equivalent circuit
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor BD682
Versión sin plomo
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