Transistor bipolar BD682

Características del transistor BD682

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del BD682

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

BD682 equivalent circuit

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BD682 es el BD681.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD682

Puede sustituir el BD682 por el BD682G.

Versión sin plomo

El transistor BD682G es la versión sin plomo del BD682.
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