Transistor bipolar 2SD1277A-P

Características del transistor 2SD1277A-P

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 45 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 4000 a 10000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del 2SD1277A-P

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1277A-P puede tener una ganancia de corriente de 4000 a 10000. La ganancia del 2SD1277 estará en el rango de 2000 a 10000, para el 2SD1277-P estará en el rango de 4000 a 10000, para el 2SD1277-Q estará en el rango de 2000 a 5000, para el 2SD1277A estará en el rango de 2000 a 10000, para el 2SD1277A-Q estará en el rango de 2000 a 5000.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1277A-P puede estar marcado sólo como "D1277A-P".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD1277A-P es el 2SB951A-P.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1277A-P

Puede sustituir el 2SD1277A-P por el 2N6044, 2N6044G, 2N6045, 2N6045G, 2N6388, 2N6388G, 2N6530, 2N6531, 2N6532, 2N6533, 2SD1196, 2SD1830, BD537, BD543B, BD543C, BD545B, BD545C, BD647, BD649, BD651, BD799, BD801, BD809, BD899, BD899A, BD901, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73B, BDW73C, BDW73D, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53B, BDX53BG, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, BDX77, D44H11, D44H11FP, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, MJF6388, MJF6388G, TIP101, TIP101G, TIP102, TIP102G, TIP131, TIP131G, TIP132, TIP132G, TIP141T o TIP142T.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com