Transistor bipolar TIP102G

Características del transistor TIP102G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 80 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000 a 20000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • El TIP102G es la versión sin plomo del transistor TIP102

Diagrama de pines del TIP102G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

TIP102G equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del TIP102G es el TIP107G.

Sustitución y equivalentes para el transistor TIP102G

Puede sustituir el TIP102G por el 2N6045, 2N6045G, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD801, BD901, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73C, BDW73D, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP102 o TIP142T.
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