Transistor bipolar BDT83

Características del transistor BDT83

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 125 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40
  • Frecuencia máxima de trabajo: 10 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BDT83

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDT83 es el BDT84.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDT83

Puede sustituir el BDT83 por el BD545B, BD545C, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388 o MJF6388G.
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