Transistor bipolar BDX33BG

Características del transistor BDX33BG

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 70 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • El BDX33BG es la versión sin plomo del transistor BDX33B

Diagrama de pines del BDX33BG

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

BDX33BG equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDX33BG es el BDX34BG.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDX33BG

Puede sustituir el BDX33BG por el 2N6388, 2N6388G, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW93B, BDW93C, BDW93CF, BDX33B, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, MJF6388, MJF6388G, TIP141T o TIP142T.
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