Transistor bipolar BDT85

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 15 A
• Disipación de Potencia Máxima: 125 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 40
• Frecuencia máxima de trabajo: 10 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-220

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor PNP complementario del BDT85 es el BDT86.Puede sustituir el BDT85 por el BD545C, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388 o MJF6388G.