Transistor bipolar BD801

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 8 A
• Disipación de Potencia Máxima: 65 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 30
• Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-220

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor PNP complementario del BD801 es el BD802.Puede sustituir el BD801 por el 2N6045, 2N6045G, 2N6531, 2N6532, 2N6533, 2SC2527, 2SD1196, 2SD1830, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD901, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73C, BDW73D, BDW93C, BDW93CF, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, MJF6388, MJF6388G, TIP102, TIP102G, TIP132, TIP132G o TIP142T.