Transistor bipolar BD647
Características del transistor BD647
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 8 A
- Disipación de Potencia Máxima: 62.5 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 750
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del BD647
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Transistor PNP complementario
El transistor
PNP complementario del BD647 es el
BD648.
Sustitución y equivalentes para el transistor BD647
Puede sustituir el BD647 por el
2N6044,
2N6044G,
2N6045,
2N6045G,
2N6388,
2N6388G,
2N6530,
2N6532,
2SD1196,
2SD1277A,
2SD1277A-P,
2SD1277A-Q,
2SD1830,
BD649,
BD651,
BD899,
BD899A,
BD901,
BDT63A,
BDT63B,
BDT63C,
BDT65A,
BDT65B,
BDT65C,
BDW41,
BDW41G,
BDW42,
BDW42G,
BDW43,
BDW73B,
BDW73C,
BDW73D,
BDW93B,
BDW93C,
BDW93CF,
BDX33B,
BDX33BG,
BDX33C,
BDX33CG,
BDX33D,
BDX53B,
BDX53BG,
BDX53C,
BDX53CG,
MJF6388,
MJF6388G,
TIP101,
TIP101G,
TIP102,
TIP102G,
TIP131,
TIP131G,
TIP132,
TIP132G,
TIP141T o
TIP142T.
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