Transistor bipolar BDT63A

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
• Disipación de Potencia Máxima: 90 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 1000
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-220

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor PNP complementario del BDT63A es el BDT62A.Puede sustituir el BDT63A por el 2N6388, 2N6388G, BDT63B, BDT63C, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388, MJF6388G, TIP141T o TIP142T.