Transistor bipolar BDX33D
Características del transistor BDX33D
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 120 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
- Disipación de Potencia Máxima: 70 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 750
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del BDX33D
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor BDX33D
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com