Transistor bipolar BDT65A

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 12 A
• Disipación de Potencia Máxima: 125 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 1000
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-220

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor PNP complementario del BDT65A es el BDT64A.Puede sustituir el BDT65A por el BDT65B, BDT65C, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388 o MJF6388G.