Transistor bipolar BDW42G

Características del transistor BDW42G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 85 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • El BDW42G es la versión sin plomo del transistor BDW42

Diagrama de pines del BDW42G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

BDW42G equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDW42G es el BDW47G.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDW42G

Puede sustituir el BDW42G por el BDW42, BDW43, MJF6388 o MJF6388G.
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