Transistor bipolar BDX33B

Características del transistor BDX33B

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 70 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BDX33B

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

BDX33B equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDX33B es el BDX34B.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDX33B

Puede sustituir el BDX33B por el 2N6388, 2N6388G, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW93B, BDW93C, BDW93CF, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, MJF6388, MJF6388G, TIP141T o TIP142T.

Versión sin plomo

El transistor BDX33BG es la versión sin plomo del BDX33B.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com