Transistor bipolar BDX53B

Características del transistor BDX53B

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 60 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BDX53B

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

BDX53B equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDX53B es el BDX54B.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDX53B

Puede sustituir el BDX53B por el 2N6044, 2N6044G, 2N6045, 2N6045G, 2N6388, 2N6388G, 2N6530, 2N6532, 2SD1196, 2SD1277A, 2SD1277A-P, 2SD1277A-Q, 2SD1830, BD647, BD649, BD651, BD899, BD899A, BD901, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73B, BDW73C, BDW73D, BDW93B, BDW93C, BDW93CF, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53BG, BDX53C, BDX53CG, MJF6388, MJF6388G, TIP101, TIP101G, TIP102, TIP102G, TIP131, TIP131G, TIP132, TIP132G, TIP141T o TIP142T.

Versión sin plomo

El transistor BDX53BG es la versión sin plomo del BDX53B.
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