Bipolartransistor KTC8050

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC8050

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 35 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KTC8050

Der KTC8050 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC8050 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC8050C liegt im Bereich von 100 bis 200, die des KTC8050D im Bereich von 150 bis 300.

SMD-Version des Transistors KTC8050

Der 2SC2859 (SOT-23), 2SC2883 (SOT-89), 2SC4118 (SOT-323), 2SC4210 (SOT-23), KTC3265 (SOT-23), KTC3876 (SOT-23), KTC3876S (SOT-23), KTC4376 (SOT-89) und KTC8050S (SOT-23) ist die SMD-Version des KTC8050-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC8050

Sie können den Transistor KTC8050 durch einen 2SD471A, BC537, MPS3704, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, PN2219, PN2219A, PN2222A, ZTX449 oder ZTX450 ersetzen.
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