Bipolartransistor MPS8050

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 85 bis 300
• Übergangsfrequenz, min: 190 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der MPS8050 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor MPS8050 kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des MPS8050B liegt im Bereich von 85 bis 160, die des MPS8050C im Bereich von 120 bis 200, die des MPS8050D im Bereich von 160 bis 300.Der komplementäre PNP-Transistor zum MPS8050 ist der MPS8550.Der MPS8050S (SOT-23) ist die SMD-Version des MPS8050-Transistors.Sie können den Transistor MPS8050 durch einen MPS650, MPS650G oder SS8050 ersetzen.