Bipolartransistor KTC8050D

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 35 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.8 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 150 bis 300
• Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der KTC8050D wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KTC8050D kann eine Gleichstromverstärkung von 150 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC8050 liegt im Bereich von 100 bis 300, die des KTC8050C im Bereich von 100 bis 200.Der 2SC2859 (SOT-23), 2SC2883 (SOT-89), 2SC4118 (SOT-323), 2SC4210 (SOT-23), KTC3265 (SOT-23), KTC3876 (SOT-23), KTC3876S (SOT-23), KTC4376 (SOT-89), KTC8050S (SOT-23) und KTC8050S-D (SOT-23) ist die SMD-Version des KTC8050D-Transistors.Sie können den Transistor KTC8050D durch einen 2SD471A, BC537, KSD471A, MPS3704, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, PN2219, PN2219A, PN2222A, ZTX449, ZTX450 oder ZTX690B ersetzen.