Bipolartransistor NTE123AP

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.6 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 300
• Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der NTE123AP wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum NTE123AP ist der NTE159.Der 2SD602A (SOT-23), DXT2222A (SOT-89), DZT2222A (SOT-223), FJX2222A (SOT-323), FMMT2222A (SOT-23), FMMT2222AR (SOT-23), KN2222AS (SOT-23), KST2222A (SOT-23), KST4401 (SOT-23), KTN2222AS (SOT-23), KTN2222AU (SOT-323), MMBT100 (SOT-23), MMBT2222AT (SOT-523F), MMBT4401 (SOT-23), MMST2222A (SOT-323), MMST4401 (SOT-323), PMBT2222A (SOT-23), PMBT4401 (SOT-23), PMST2222A (SOT-23) und PMST4401 (SOT-323) ist die SMD-Version des NTE123AP-Transistors.Sie können den Transistor NTE123AP durch einen 2N4401, 2SC1008, BC537, BC538, KN2222A, KSC1008, KSP2222A, KTN2222A, MPS2222A, MPS2222AG, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPSW01A, MPSW01AG, P2N2222A, P2N2222AG, PN2219A, PN2222A, PN4033 oder ZTX450 ersetzen.