Bipolartransistor S8050

Elektrische Eigenschaften des Transistors S8050

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des S8050

Der S8050 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor S8050 kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des S8050B liegt im Bereich von 85 bis 160, die des S8050C im Bereich von 120 bis 200, die des S8050D im Bereich von 160 bis 300.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum S8050 ist der S8550.

Ersatz und Äquivalent für Transistor S8050

Sie können den Transistor S8050 durch einen 2SD471A, MPS650, MPS650G, MPS6532, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPS8050, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, S9013 oder SS8050 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com