Bipolartransistor S9013F

Elektrische Eigenschaften des Transistors S9013F

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 96 bis 135
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des S9013F

Der S9013F wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor S9013F kann eine Gleichstromverstärkung von 96 bis 135 haben. Die Gleichstromverstärkung des S9013 liegt im Bereich von 64 bis 300, die des S9013D im Bereich von 64 bis 91, die des S9013E im Bereich von 78 bis 112, die des S9013G im Bereich von 112 bis 166, die des S9013H im Bereich von 144 bis 202, die des S9013I im Bereich von 190 bis 300.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum S9013F ist der S9012F.

Ersatz und Äquivalent für Transistor S9013F

Sie können den Transistor S9013F durch einen 2N4400, 2SD471A, 2SD471AO, KTC9013, KTC9013F, MPS3414, MPS3416, MPS3705, MPS650, MPS650G, MPS6531, MPS6532, MPS6560, MPS6560G, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPS8050, MPS8050B, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, S8050, S8050B, SS8050 oder SS8050B ersetzen.
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