Bipolartransistor MPSW01G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MPSW01G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Der MPSW01G ist die bleifreie Version des MPSW01-Transistors

Pinbelegung des MPSW01G

Der MPSW01G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MPSW01G ist der MPSW51G.

SMD-Version des Transistors MPSW01G

Der FMMT449 (SOT-23) ist die SMD-Version des MPSW01G-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MPSW01G

Sie können den Transistor MPSW01G durch einen 2SD471A, 2SD471AG, 2SD471AO, 2SD471AY, BC537-10, BC537-16, BC537-25, KSD471A, KSD471AG, KSD471AY, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW13, MPSW14, MPSW45, MPSW45A, MPSW45AG, MPSW45G, PN2222A, ZTX449, ZTX450 oder ZTX690B ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com