Bipolartransistor MPSW01G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MPSW01G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
- Verlustleistung, max: 1 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 60
- Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92
- Der MPSW01G ist die bleifreie Version des MPSW01-Transistors
Pinbelegung des MPSW01G
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer PNP-Transistor
SMD-Version des Transistors MPSW01G
Ersatz und Äquivalent für Transistor MPSW01G
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