Bipolartransistor S9013D

Elektrische Eigenschaften des Transistors S9013D

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 64 bis 91
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des S9013D

Der S9013D wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor S9013D kann eine Gleichstromverstärkung von 64 bis 91 haben. Die Gleichstromverstärkung des S9013 liegt im Bereich von 64 bis 300, die des S9013E im Bereich von 78 bis 112, die des S9013F im Bereich von 96 bis 135, die des S9013G im Bereich von 112 bis 166, die des S9013H im Bereich von 144 bis 202, die des S9013I im Bereich von 190 bis 300.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum S9013D ist der S9012D.

Ersatz und Äquivalent für Transistor S9013D

Sie können den Transistor S9013D durch einen 2N4400, KTC9013, KTC9013D, MPS3705, MPS6530, MPS6532, MPS6560, MPS6560G, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, PN2218, PN2218A, PN2221, PN2221A oder PN3567 ersetzen.
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