Bipolartransistor MPS6601G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 25 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 50
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92
• Der MPS6601G ist die bleifreie Version des MPS6601-Transistors

Der MPS6601G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum MPS6601G ist der MPS6651G.Der 2SC3265 (SOT-23), 2SC3265-O (SOT-23), 2SC3265-Y (SOT-23), 2SD874 (SOT-89), 2SD874-Q (SOT-89), 2SD874-R (SOT-89), 2SD874-S (SOT-89), BC818 (SOT-23), BC818-16 (SOT-23), BC818-16W (SOT-323), BC818-25 (SOT-23), BC818-25W (SOT-323), BC818-40 (SOT-23), BC818-40W (SOT-323), BC818W (SOT-323), BCX20 (SOT-23), KSC3265 (SOT-23), KSC3265-O (SOT-23), KSC3265-Y (SOT-23), MMBTA13 (SOT-23), MMBTA14 (SOT-23), PMBTA13 (SOT-23), PMBTA14 (SOT-23), PZTA13 (SOT-223) und PZTA14 (SOT-223) ist die SMD-Version des MPS6601G-Transistors.Sie können den Transistor MPS6601G durch einen 2SD471A, 2SD471AG, 2SD471AO, 2SD471AY, KSD471A, KSD471AG, KSD471AY, M8050, M8050-C, M8050-D, MPS650, MPS650G, MPS6601, MPS6602, MPS6602G, MPS8050, MPS8050B, MPS8050C, MPS8050D, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, MPSW13, MPSW14, MPSW45, MPSW45A, MPSW45AG, MPSW45G, PN2222A, SS8050, SS8050B, SS8050C, SS8050D, ZTX449, ZTX450 oder ZTX690B ersetzen.