Bipolartransistor PN100

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 75 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 450
• Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
• Rauschzahl, max: 5 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der PN100 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum PN100 ist der PN200.Der MMBT100 (SOT-23) ist die SMD-Version des PN100-Transistors.Sie können den Transistor PN100 durch einen KSP05, KSP06, MPS651, MPS651G, MPSA05, MPSA05G, MPSA06, MPSA06G, MPSW05, MPSW05G, MPSW06 oder MPSW06G ersetzen.