Bipolartransistor 2STR1160

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2STR1160

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
Verlustleistung, max: 0.5 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 180 bis 560
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des 2STR1160

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2STR1160 ist der 2STR2160.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2STR1160

Sie können den Transistor 2STR1160 durch einen FMMT620 ersetzen.

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