Bipolartransistor BCW65B

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 32 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.8 A
• Verlustleistung, max: 0.35 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 160 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 170 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-23

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BCW65B kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des BCW65 liegt im Bereich von 100 bis 630, die des BCW65A im Bereich von 100 bis 250, die des BCW65C im Bereich von 250 bis 630.Der komplementäre PNP-Transistor zum BCW65B ist der BCW67B.Sie können den Transistor BCW65B durch einen BCW66, BCW66G oder FMMT619 ersetzen.