Bipolartransistor KTC3876O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC3876O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 35 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des KTC3876O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC3876O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC3876 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des KTC3876GL im Bereich von 200 bis 400, die des KTC3876Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Der KTC3876O-Transistor ist als "WO" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC3876O ist der KTA1505O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC3876O

Sie können den Transistor KTC3876O durch einen 2SC2859, 2SC2859-O, 2SC3325, 2SC3325-O, 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, FMMT451, FMMTA05, KSC2859, KSC2859-O, KST05, KTC3876S, KTC3876S-O oder MMBT4400 ersetzen.
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