Bipolartransistor MMBT100

Elektrische Eigenschaften des Transistors MMBT100

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 75 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 450
  • Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
  • Rauschzahl, max: 5 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular PN100 transistor

Pinbelegung des MMBT100

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der MMBT100-Transistor ist als "NA" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MMBT100 ist der MMBT200.

Transistor MMBT100 im TO-92-Gehäuse

Der PN100 ist die TO-92-Version des MMBT100.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MMBT100

Sie können den Transistor MMBT100 durch einen 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, BC817, BCW66, BCX19, FMMT619, FMMTA05, FMMTA06, KST05, KST06, MMBTA05, MMBTA06, PMBTA06, SMBTA05 oder SMBTA06 ersetzen.
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