Bipolartransistor MMBT100
Elektrische Eigenschaften des Transistors MMBT100
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 75 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
- Verlustleistung, max: 0.35 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 450
- Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
- Rauschzahl, max: 5 dB
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular PN100 transistor
Pinbelegung des MMBT100
Kennzeichnung
Komplementärer PNP-Transistor
Transistor MMBT100 im TO-92-Gehäuse
Ersatz und Äquivalent für Transistor MMBT100
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