Bipolartransistor BCW66

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 75 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.8 A
• Verlustleistung, max: 0.35 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 630
• Übergangsfrequenz, min: 170 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-23

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BCW66 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 630 haben. Die Gleichstromverstärkung des BCW66F liegt im Bereich von 100 bis 250, die des BCW66G im Bereich von 160 bis 400, die des BCW66H im Bereich von 250 bis 630.Der komplementäre PNP-Transistor zum BCW66 ist der BCW68.Sie können den Transistor BCW66 durch einen FMMT619 ersetzen.