Bipolartransistor BCW32
Elektrische Eigenschaften des Transistors BCW32
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 32 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 32 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
- Verlustleistung, max: 0.35 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 450
- Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
- Rauschzahl, max: 10 dB
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des BCW32
Kennzeichnung
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor BCW32
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